Semiconductor device comprising a gate electrode
WO2006112080
Art A1
26. Oktober 2006
Anmelder: Kabushiki Kaisha Toshiba 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2006112080
- Aktenzeichen
- EP05811403
- Anmeldetag
- 25. November 2005
- Veröffentlichung
- 26. Oktober 2006
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L29/49H01L29/78H01L21/336H01L29/51
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Kabushiki Kaisha Toshiba
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Toshiba
Japanischer Konzern, der Elektronik, Halbleiter, Energie- und Infrastrukturtechnik sowie Industrieanlagen entwickelt und herstellt.
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