Semiconductor device manufacturing method, semiconductor device, plasma nitriding treatment method, control program and computer storage medium

WO2006112388 Art A1 26. Oktober 2006

Anmelder: TOKYO ELECTRON LIMITED 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2006112388
Aktenzeichen: EP06731859
Anmeldetag: 14. April 2006
Veröffentlichung: 26. Oktober 2006
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/318H01L21/8247H01L27/115H01L29/788H01L29/792

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: TOKYO ELECTRON LIMITED
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Tokyo Electron

Japanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Tokio, einer der weltweit größten Hersteller von Halbleiterfertigungsanlagen. Aktiv in Beschichtungs-, Ätz- und Reinigungssystemen für die Chip- und Displayproduktion.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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