Flachleiterstruktur für ein Halbleiterbauteil und Verfahren zur Herstellung Derselben

WO2006116969 Art A1 9. November 2006

Anmelder: Infineon Technologies AG 🇩🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2006116969
Aktenzeichen: EP06742265
Anmeldetag: 25. April 2006
Veröffentlichung: 9. November 2006
Rechtsraum: WO
IPC: H01L23/31H01L23/495

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Infineon Technologies AG
Land: 🇩🇪 Deutschland

🇩🇪 Infineon Technologies

Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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