Silicon nitride substrate, process for producing the same, and silicon nitride wiring board and semiconductor module using the same

WO2006118003 Art A1 9. November 2006

Anmelder: Hitachi Metals, Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2006118003
Aktenzeichen: EP06731872
Anmeldetag: 14. April 2006
Veröffentlichung: 9. November 2006
Rechtsraum: WO
IPC: C04B35/593H01L23/14

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Hitachi Metals, Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Proterial

Japanisches Unternehmen (frühere Firmierung Hitachi Metals), das Spezialstähle, Magnetwerkstoffe und Metallkomponenten für Industrie und Automobilbau herstellt.

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Fachgebiete

Anorganische Chemie & Werkstoffe Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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