Integrated circuit having a non-volatile memory with discharge rate control and method therefor

WO2006118601 Art A1 9. November 2006

Anmelder: Freescale Semiconductor, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2006118601
Aktenzeichen: EP05815644
Anmeldetag: 14. Oktober 2005
Veröffentlichung: 9. November 2006
Rechtsraum: WO
IPC: G11C16/06G11C16/04G11C7/00

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Freescale Semiconductor, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Freescale Semiconductor

Ehemaliger US-amerikanischer Halbleiterhersteller, hervorgegangen aus einem Spin-off von Motorola, mit Schwerpunkt auf Mikrocontrollern und eingebetteten Prozessoren. Seit 2015 Teil von NXP Semiconductors.

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Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung

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