Memory structure and method of programming

WO2006118636 Art A2 9. November 2006

Anmelder: FREESCALE SEMICONDUCTOR, INC. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2006118636
Aktenzeichen: EP06735901
Anmeldetag: 23. Februar 2006
Veröffentlichung: 9. November 2006
Rechtsraum: WO
IPC: G11C16/04

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: FREESCALE SEMICONDUCTOR, INC.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Freescale Semiconductor

Ehemaliger US-amerikanischer Halbleiterhersteller, hervorgegangen aus einem Spin-off von Motorola, mit Schwerpunkt auf Mikrocontrollern und eingebetteten Prozessoren. Seit 2015 Teil von NXP Semiconductors.

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Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung

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