Method of forming a shallow trench isolation structure with reduced leakage current in a semiconductor device

WO2006118673 Art A2 9. November 2006

Anmelder: ATMEL CORPORATION 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2006118673
Aktenzeichen: EP06738569
Anmeldetag: 14. März 2006
Veröffentlichung: 9. November 2006
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/00H01L21/762

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: ATMEL CORPORATION
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Atmel

Atmel war ein US-amerikanischer Halbleiterhersteller für Mikrocontroller und wurde 2016 von Microchip Technology übernommen. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Software und Datenverarbeitung sowie Halbleiterbauelemente, ergänzt um Datenspeicherung und Elektronik. Anmeldungen liegen im Zeitraum 2000 bis 2021.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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