Dual-port static random access memory having improved cell stability and write margin

WO2006121531 Art A1 16. November 2006

Anmelder: Freescale Semiconductor, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2006121531
Aktenzeichen: EP06740360
Anmeldetag: 4. April 2006
Veröffentlichung: 16. November 2006
Rechtsraum: WO
IPC: G11C8/00G11C7/00

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Freescale Semiconductor, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Freescale Semiconductor

Ehemaliger US-amerikanischer Halbleiterhersteller, hervorgegangen aus einem Spin-off von Motorola, mit Schwerpunkt auf Mikrocontrollern und eingebetteten Prozessoren. Seit 2015 Teil von NXP Semiconductors.

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Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung

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