Mosfet device with high integration density, in particular power vdmos, and manufacturing process thereof

WO2006122957 Art A2 23. November 2006

Anmelder: STMicroelectronics Srl 🇮🇹

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2006122957
Aktenzeichen: EP06763175
Anmeldetag: 17. Mai 2006
Veröffentlichung: 23. November 2006
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/78H01L29/417H01L21/336H01L29/06

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: STMicroelectronics Srl
Land: 🇮🇹 Italien

🇨🇭 STMicroelectronics International

Schweizer Gesellschaft des Halbleiterkonzerns STMicroelectronics, die Chips und Sensoren für Automobiltechnik, Industrie und Unterhaltungselektronik entwickelt.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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