Group 3-5 nitride semiconductor multilayer substrate, method for manufacturing group 3-5 nitride semiconductor free-standing substrate, and semiconductor element

WO2006123540 Art A1 23. November 2006

Anmelder: Sumitomo Chemical Company, Limited, National University Corporation Mie University 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2006123540
Aktenzeichen: EP06746016
Anmeldetag: 2. Mai 2006
Veröffentlichung: 23. November 2006
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/205C30B29/38H01L33/00H01S5/323

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: Sumitomo Chemical Company, Limited
National University Corporation Mie University
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Sumitomo Chemical

Japanischer Chemiekonzern mit Sitz in Tokio, Teil der Sumitomo-Gruppe. Aktiv in Petrochemie, Agrochemie, Pharmazeutika, Elektronikmaterialien, Energiematerialien und Kunststoffen.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

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