Polycrystalline silicon substrate, polycrystalline silicon ingot, photoelectric transduction element and photoelectric transduction module
WO2006126371
Art A1
30. November 2006
Anmelder: Kyocera Corporation 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2006126371
- Aktenzeichen
- EP06745902
- Anmeldetag
- 28. April 2006
- Veröffentlichung
- 30. November 2006
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- C01B33/02B22D25/04B22D27/04H01L31/04
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Kyocera Corporation
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Kyocera
Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Kyoto. Kyocera fertigt Keramikbauteile, Halbleiterkomponenten, Solarmodule, Druck- und Kopiersysteme sowie Elektronikprodukte für Industrie und Endverbraucher.
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