Integration process for fabricating stressed transistor structure

WO2006127465 Art A1 30. November 2006

Anmelder: Applied Materials, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2006127465
Aktenzeichen: EP06770667
Anmeldetag: 18. Mai 2006
Veröffentlichung: 30. November 2006
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/78H01L21/8238H01L29/49H01L21/28H01L21/336C23C16/34

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Applied Materials, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Applied Materials

US-amerikanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Santa Clara, Kalifornien. Applied Materials entwickelt Fertigungsanlagen und Prozesstechnologien für die Halbleiter-, Display- und Solarindustrie, unter anderem für Beschichtung, Ätzen und Materialabscheidung.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

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