Method for optimizing direct wafer bond line width for reduction of parasitic capacitance in mems accelerometers

WO2006127814 Art A2 30. November 2006

Anmelder: Northrop Grumman Corporation 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2006127814
Aktenzeichen: EP06784464
Anmeldetag: 24. Mai 2006
Veröffentlichung: 30. November 2006
Rechtsraum: WO
IPC: G01P15/08G01M13/02B81C3/00

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Northrop Grumman Corporation
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Northrop Grumman

US-amerikanischer Rüstungs- und Luftfahrtkonzern mit Sitz in Virginia, tätig in den Bereichen Verteidigungselektronik, Flugzeugbau, Raumfahrt und Cybersicherheit.

1.644 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik

Vertreten von