Trench-gate field effect transistors and methods of forming the same

WO2006127914 Art A2 30. November 2006

Anmelder: Fairchild Semiconductor Corporation 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2006127914
Aktenzeichen: EP06771193
Anmeldetag: 24. Mai 2006
Veröffentlichung: 30. November 2006
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/94

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Fairchild Semiconductor Corporation
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Fairchild Semiconductor

Fairchild Semiconductor war ein US-amerikanischer Halbleiterhersteller, der 2016 von ON Semiconductor übernommen wurde. Das Patentportfolio konzentriert sich fast vollständig auf Halbleiter- und Schaltungstechnik sowie Leistungselektronik. Die Anmeldungen stammen aus den Jahren 2000 bis 2017.

275 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von