Method and composition for preparing a semiconductor surface for deposition of a barrier material

WO2006130222 Art A1 7. Dezember 2006

Anmelder: Freescale Semiconductor Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2006130222
Aktenzeichen: EP06740359
Anmeldetag: 4. April 2006
Veröffentlichung: 7. Dezember 2006
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/302

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Freescale Semiconductor Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Freescale Semiconductor

Ehemaliger US-amerikanischer Halbleiterhersteller, hervorgegangen aus einem Spin-off von Motorola, mit Schwerpunkt auf Mikrocontrollern und eingebetteten Prozessoren. Seit 2015 Teil von NXP Semiconductors.

2.392 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von