Technique For Forming Copper-Containing Lines Embedded in A Low-K Dielectric By Providing A Stiffening Layer
WO2006130250
Art A1
7. Dezember 2006
Anmelder: ADVANCED MICRO DEVICES, INC., Advanced Micro Devices, Inc. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2006130250
- Aktenzeichen
- EP06750620
- Anmeldetag
- 19. April 2006
- Veröffentlichung
- 7. Dezember 2006
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L21/768H01L23/532
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- ADVANCED MICRO DEVICES, INC.
Advanced Micro Devices, Inc. - Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Advanced Micro Devices
US-amerikanischer Halbleiterhersteller (AMD) mit Sitz in Santa Clara, Kalifornien, bekannt für Prozessoren, Grafikchips und Server-CPUs.
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