Tungsten silicide etch process with reduced etch rate micro-loading

WO2006130744 Art A1 7. Dezember 2006

Anmelder: Lam Research Corporation 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2006130744
Aktenzeichen: EP06760615
Anmeldetag: 31. Mai 2006
Veröffentlichung: 7. Dezember 2006
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/3213

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Lam Research Corporation
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Lam Research

US-amerikanischer Hersteller von Fertigungsanlagen für die Halbleiterindustrie mit Sitz in Fremont, Kalifornien, spezialisiert auf Ätz- und Beschichtungssysteme (Deposition) für die Chipproduktion.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von