Semiconductor device, substrate and semiconductor device manufacturing method

WO2006132130 Art A1 14. Dezember 2006

Anmelder: ROHM CO., LTD. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2006132130
Aktenzeichen: EP06756891
Anmeldetag: 1. Juni 2006
Veröffentlichung: 14. Dezember 2006
Rechtsraum: WO
IPC: H01L23/12H01L21/52

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: ROHM CO., LTD.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Rohm

Japanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kyoto, spezialisiert auf integrierte Schaltkreise, diskrete Halbleiterbauelemente und Leistungshalbleiter (unter anderem Siliziumkarbid-Bauteile).

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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