Fin type field effect transistor, semiconductor device and production method thereof

WO2006132172 Art A1 14. Dezember 2006

Anmelder: NEC Corporation 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2006132172
Aktenzeichen: EP06756961
Anmeldetag: 5. Juni 2006
Veröffentlichung: 14. Dezember 2006
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/28H01L21/8238H01L27/08H01L27/092H01L29/423H01L29/49H01L29/78H01L29/786

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: NEC Corporation
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 NEC

Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Tokio, der IT- und Netzwerklösungen, Telekommunikationsausrüstung sowie Sicherheits- und Biometrietechnik anbietet.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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