Technique for ion beam angle spread control

WO2006133309 Art A2 14. Dezember 2006

Anmelder: Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2006133309
Aktenzeichen: EP06772455
Anmeldetag: 7. Juni 2006
Veröffentlichung: 14. Dezember 2006
Rechtsraum: WO
IPC: H01J37/147H01J37/317

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc.

Varian Semiconductor Equipment Associates war ein US-amerikanischer Hersteller von Halbleiteranlagen, seit 2011 Teil von Applied Materials. Die Patente betreffen Ionenimplantation und Halbleiterfertigung.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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