Thin film transistor, wiring board and electronic device manufacturing method

WO2006134899 Art A1 21. Dezember 2006

Anmelder: TOHOKU UNIVERSITY, Zeon Corporation 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.
WO2006134899
Aktenzeichen
EP06766620
Anmeldetag
13. Juni 2006
Veröffentlichung
21. Dezember 2006
Rechtsraum
WO
IPC
H01L21/336G02F1/1343G02F1/1368H01L29/786
Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen
TOHOKU UNIVERSITY
Zeon Corporation
Land
🇯🇵 Japan
🇯🇵 Tohoku University

Staatliche Universität in Sendai, Japan, mit Forschungsschwerpunkten unter anderem in Materialwissenschaften und Werkstofftechnik.

837 Patente in unserer Datenbank

🇯🇵 Zeon

Japanisches Chemieunternehmen mit Sitz in Tokio. Zeon Corporation entwickelt synthetische Kautschuke, Spezialchemikalien und Elastomere für Anwendungen in Automobil-, Elektronik- und Batterieindustrie.

2.552 Patente in unserer Datenbank

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