Thin film transistor, wiring board and electronic device manufacturing method
WO2006134899
Art A1
21. Dezember 2006
Anmelder: TOHOKU UNIVERSITY, Zeon Corporation 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2006134899
- Aktenzeichen
- EP06766620
- Anmeldetag
- 13. Juni 2006
- Veröffentlichung
- 21. Dezember 2006
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L21/336G02F1/1343G02F1/1368H01L29/786
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- TOHOKU UNIVERSITY
Zeon Corporation - Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Tohoku University
Staatliche Universität in Sendai, Japan, mit Forschungsschwerpunkten unter anderem in Materialwissenschaften und Werkstofftechnik.
837 Patente in unserer Datenbank
🇯🇵
Zeon
Japanisches Chemieunternehmen mit Sitz in Tokio. Zeon Corporation entwickelt synthetische Kautschuke, Spezialchemikalien und Elastomere für Anwendungen in Automobil-, Elektronik- und Batterieindustrie.
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Vertreten von
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