Method of forming an interlayer dielectric
WO2006135548
Art A2
21. Dezember 2006
Anmelder: Freescale Semiconductor 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2006135548
- Aktenzeichen
- EP06771270
- Anmeldetag
- 25. Mai 2006
- Veröffentlichung
- 21. Dezember 2006
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L21/469
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Freescale Semiconductor
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Freescale Semiconductor
Ehemaliger US-amerikanischer Halbleiterhersteller, hervorgegangen aus einem Spin-off von Motorola, mit Schwerpunkt auf Mikrocontrollern und eingebetteten Prozessoren. Seit 2015 Teil von NXP Semiconductors.
2.392 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
Kein Vertreter erfasst.