Semiconductor device with relatively high breakdown voltage and manufacturing method

WO2006136979 Art A2 28. Dezember 2006

Anmelder: NXP B.V. 🇳🇱

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2006136979
Aktenzeichen: EP06756134
Anmeldetag: 14. Juni 2006
Veröffentlichung: 28. Dezember 2006
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/861H01L29/78H01L29/06H01L29/786

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: NXP B.V.
Land: 🇳🇱 Niederlande

🇳🇱 NXP Semiconductors

Niederländischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Eindhoven. Entwickelt Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation, Sicherheit sowie industrielle Anwendungen.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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