Fabrication method of gallium manganese nitride single crystal nanowire

WO2006137631 Art A1 28. Dezember 2006

Anmelder: Korea Institute of Science and Technology 🇰🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2006137631
Aktenzeichen: EP05819015
Anmeldetag: 19. Dezember 2005
Veröffentlichung: 28. Dezember 2006
Rechtsraum: WO
IPC: C22C29/16C22C101/16C30B23/00C30B25/00C23C16/08C23C16/34

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Korea Institute of Science and Technology
Land: 🇰🇷 Südkorea

🇰🇷 Korea Institute of Science and Technology

Südkoreanisches staatliches Forschungsinstitut mit Sitz in Seoul, das interdisziplinäre Forschung in Naturwissenschaften, Ingenieurwesen und Materialtechnologie betreibt und zahlreiche Patente aus seinen Instituten hervorbringt.

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Fachgebiete

Metallurgie & Oberflächentechnik

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