Fabrication method for back-illuminated cmos or ccd imagers made from soi wafer
WO2006137867
Art A1
28. Dezember 2006
Anmelder: California Institute of Technology 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2006137867
- Aktenzeichen
- EP05858140
- Anmeldetag
- 13. September 2005
- Veröffentlichung
- 28. Dezember 2006
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L27/146
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- California Institute of Technology
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
California Institute of Technology
Private Forschungsuniversität in Pasadena, Kalifornien (USA), mit Schwerpunkt auf Naturwissenschaften und Ingenieurwesen. Sie betreibt unter anderem das Jet Propulsion Laboratory und zählt zu den weltweit führenden Technikhochschulen.
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