A method of thinning a semiconductor structure

WO2006138470 Art A1 28. Dezember 2006

Anmelder: NORTHROP GRUMMAN CORPORATION 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2006138470
Aktenzeichen: EP06773254
Anmeldetag: 16. Juni 2006
Veröffentlichung: 28. Dezember 2006
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/762H01L21/3065

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: NORTHROP GRUMMAN CORPORATION
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Northrop Grumman

US-amerikanischer Rüstungs- und Luftfahrtkonzern mit Sitz in Virginia, tätig in den Bereichen Verteidigungselektronik, Flugzeugbau, Raumfahrt und Cybersicherheit.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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