Phase change material for high density non-volatile memory

WO2007001112 Art A1 4. Januar 2007

Anmelder: Korea Institute of Science and Technology 🇰🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2007001112
Aktenzeichen: EP06732858
Anmeldetag: 14. April 2006
Veröffentlichung: 4. Januar 2007
Rechtsraum: WO
IPC: H01L27/10

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Korea Institute of Science and Technology
Land: 🇰🇷 Südkorea

🇰🇷 Korea Institute of Science and Technology

Südkoreanisches staatliches Forschungsinstitut mit Sitz in Seoul, das interdisziplinäre Forschung in Naturwissenschaften, Ingenieurwesen und Materialtechnologie betreibt und zahlreiche Patente aus seinen Instituten hervorbringt.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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