Improved manufacturing method for two-step post nitridation annealing of plasma nitrided gate dielectric

WO2007001709 Art A2 4. Januar 2007

Anmelder: Applied Materials, Inc., Olsen, Christopher S., APPLIED MATERIALS, INC. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2007001709
Aktenzeichen: EP06760439
Anmeldetag: 26. Mai 2006
Veröffentlichung: 4. Januar 2007
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/471

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: Applied Materials, Inc.
Olsen, Christopher S.
APPLIED MATERIALS, INC.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Applied Materials

US-amerikanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Santa Clara, Kalifornien. Applied Materials entwickelt Fertigungsanlagen und Prozesstechnologien für die Halbleiter-, Display- und Solarindustrie, unter anderem für Beschichtung, Ätzen und Materialabscheidung.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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