Methods for forming a transistor and modulating channel stress
WO2007002215
Art A2
4. Januar 2007
Anmelder: Applied Materials, Inc. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2007002215
- Aktenzeichen
- EP06785279
- Anmeldetag
- 20. Juni 2006
- Veröffentlichung
- 4. Januar 2007
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L21/8238H01L21/336
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Applied Materials, Inc.
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Applied Materials
US-amerikanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Santa Clara, Kalifornien. Applied Materials entwickelt Fertigungsanlagen und Prozesstechnologien für die Halbleiter-, Display- und Solarindustrie, unter anderem für Beschichtung, Ätzen und Materialabscheidung.
10.783 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
Kein Vertreter erfasst.