Complementary metal oxide semiconductor integrated circuit using raised source drain and replacement metal gate

WO2007002427 Art A1 4. Januar 2007

Anmelder: Intel Corporation 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2007002427
Aktenzeichen: EP06785454
Anmeldetag: 21. Juni 2006
Veröffentlichung: 4. Januar 2007
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/336H01L21/28H01L29/78H01L29/49

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Intel Corporation
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Intel

US-amerikanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kalifornien. Entwickelt und produziert Prozessoren, Chipsätze sowie weitere Halbleiterkomponenten für Computer, Server und eingebettete Systeme.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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