Method and apparatus for forming a noble metal layer, notably on inlaid metal features

WO2007003223 Art A1 11. Januar 2007

Anmelder: FREESCALE SEMICONDUCTOR, INC. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2007003223
Aktenzeichen: EP05785213
Anmeldetag: 4. Juli 2005
Veröffentlichung: 11. Januar 2007
Rechtsraum: WO
IPC: C23C18/18C23C18/16H01L21/288H01L21/304H05K3/00

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: FREESCALE SEMICONDUCTOR, INC.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Freescale Semiconductor

Ehemaliger US-amerikanischer Halbleiterhersteller, hervorgegangen aus einem Spin-off von Motorola, mit Schwerpunkt auf Mikrocontrollern und eingebetteten Prozessoren. Seit 2015 Teil von NXP Semiconductors.

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Fachgebiete

Elektronik & Schaltungstechnik Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

Vertreten von