Nitride semiconductor laser element and nitride semiconductor laser device

WO2007004378 Art A1 11. Januar 2007

Anmelder: Sharp Kabushiki Kaisha 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2007004378
Aktenzeichen: EP06756937
Anmeldetag: 2. Juni 2006
Veröffentlichung: 11. Januar 2007
Rechtsraum: WO
IPC: H01S5/042H01S5/022H01S5/323

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Sharp Kabushiki Kaisha
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Sharp

Japanischer Elektronikkonzern mit Sitz in Sakai bei Osaka, seit 2016 mehrheitlich zu Foxconn gehörend. Aktiv in Displaytechnik (LCD, OLED), Unterhaltungselektronik, Haushaltsgeräten sowie Halbleiter- und Solartechnologie.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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