Method for designing structure of silicon carbide electrostatic induction transistor

WO2007004528 Art A1 11. Januar 2007

Anmelder: Yamanashi University, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2007004528
Aktenzeichen: EP06767654
Anmeldetag: 30. Juni 2006
Veröffentlichung: 11. Januar 2007
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/80H01L21/337H01L29/808

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: Yamanashi University
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 National Institute of Advanced Industrial Science and Technology

Staatliches japanisches Forschungsinstitut (AIST), das breit angelegte angewandte Forschung in Bereichen wie Materialwissenschaft, Energie, Elektronik und Biotechnologie betreibt.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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