Thin film transistor, wiring board and method for manufacturing such thin film transistor and wiring board
WO2007004666
Art A1
11. Januar 2007
Anmelder: Takahashi, Migaku c/o TohokuUniversity, Zeon Corporation 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2007004666
- Aktenzeichen
- EP06767888
- Anmeldetag
- 5. Juli 2006
- Veröffentlichung
- 11. Januar 2007
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L51/00
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Takahashi, Migaku c/o TohokuUniversity
Zeon Corporation - Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Zeon
Japanisches Chemieunternehmen mit Sitz in Tokio. Zeon Corporation entwickelt synthetische Kautschuke, Spezialchemikalien und Elastomere für Anwendungen in Automobil-, Elektronik- und Batterieindustrie.
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