Source side injection storage device with spacer gates and method therefor

WO2007005191 Art A1 11. Januar 2007

Anmelder: Freescale Semiconductor 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2007005191
Aktenzeichen: EP06772545
Anmeldetag: 8. Juni 2006
Veröffentlichung: 11. Januar 2007
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/336H01L29/788

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Freescale Semiconductor
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Freescale Semiconductor

Ehemaliger US-amerikanischer Halbleiterhersteller, hervorgegangen aus einem Spin-off von Motorola, mit Schwerpunkt auf Mikrocontrollern und eingebetteten Prozessoren. Seit 2015 Teil von NXP Semiconductors.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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