Removal of residues for low-k dielectric materials in wafer processing

WO2007005197 Art A2 11. Januar 2007

Anmelder: Tokyo Electron Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2007005197
Aktenzeichen: EP06772693
Anmeldetag: 6. Juni 2006
Veröffentlichung: 11. Januar 2007
Rechtsraum: WO
IPC: B08B3/04

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Tokyo Electron Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Tokyo Electron

Japanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Tokio, einer der weltweit größten Hersteller von Halbleiterfertigungsanlagen. Aktiv in Beschichtungs-, Ätz- und Reinigungssystemen für die Chip- und Displayproduktion.

2.414 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Verfahrens- & Trenntechnik

Vertreten von