Low-temperature catalyzed formation of segmented nanowire of dielectric material

WO2007005816 Art A2 11. Januar 2007

Anmelder: Intel Corporation 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2007005816
Aktenzeichen: EP06786210
Anmeldetag: 29. Juni 2006
Veröffentlichung: 11. Januar 2007
Rechtsraum: WO
IPC: C30B25/00C30B11/12C30B29/38C30B29/60

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Intel Corporation
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Intel

US-amerikanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kalifornien. Entwickelt und produziert Prozessoren, Chipsätze sowie weitere Halbleiterkomponenten für Computer, Server und eingebettete Systeme.

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Fachgebiete

Metallurgie & Oberflächentechnik

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