Process for manufacturing a semiconductor power device with insulated gate formed in a trench

WO2007006764 Art A2 18. Januar 2007

Anmelder: STMicroelectronics Srl 🇮🇹

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2007006764
Aktenzeichen: EP06764112
Anmeldetag: 7. Juli 2006
Veröffentlichung: 18. Januar 2007
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/336H01L29/78H01L29/423H01L29/51

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: STMicroelectronics Srl
Land: 🇮🇹 Italien

🇨🇭 STMicroelectronics International

Schweizer Gesellschaft des Halbleiterkonzerns STMicroelectronics, die Chips und Sensoren für Automobiltechnik, Industrie und Unterhaltungselektronik entwickelt.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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