Semiconductor device and fabrication method thereof

WO2007007375 Art A1 18. Januar 2007

Anmelder: Fujitsu Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2007007375
Aktenzeichen: EP05758359
Anmeldetag: 7. Juli 2005
Veröffentlichung: 18. Januar 2007
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/336H01L29/78H01L21/28H01L29/423H01L29/49

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Fujitsu Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Fujitsu

Japanisches Unternehmen für Informationstechnik, das Computer, Server, Netzwerktechnik sowie IT-Dienstleistungen und Softwarelösungen entwickelt und anbietet.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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