Method for simulating ion implantation and method for fabricating semiconductor device

WO2007007402 Art A1 18. Januar 2007

Anmelder: Fujitsu Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2007007402
Aktenzeichen: EP05765696
Anmeldetag: 13. Juli 2005
Veröffentlichung: 18. Januar 2007
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/265H01L21/00H01L21/336H01L29/78

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Fujitsu Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Fujitsu

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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