Polycrystalline silicon substrate, polycrystalline silicon ingot, and production process

WO2007007478 Art A1 18. Januar 2007

Anmelder: Kyocera Corporation 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2007007478
Aktenzeichen: EP06747020
Anmeldetag: 30. Mai 2006
Veröffentlichung: 18. Januar 2007
Rechtsraum: WO
IPC: H01L31/028C01B33/037

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Kyocera Corporation
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Kyocera

Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Kyoto. Kyocera fertigt Keramikbauteile, Halbleiterkomponenten, Solarmodule, Druck- und Kopiersysteme sowie Elektronikprodukte für Industrie und Endverbraucher.

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Fachgebiete

Anorganische Chemie & Werkstoffe Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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