Process for producing single crystal
WO2007007479
Art A1
18. Januar 2007
Anmelder: SHIN-ETSU HANDOTAI COMPANY LIMITED 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2007007479
- Aktenzeichen
- EP06747065
- Anmeldetag
- 1. Juni 2006
- Veröffentlichung
- 18. Januar 2007
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- C30B29/06C30B15/20
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- SHIN-ETSU HANDOTAI COMPANY LIMITED
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Shin-Etsu Handotai
Japanisches Unternehmen der Shin-Etsu-Gruppe, das Siliziumwafer für die Halbleiterindustrie herstellt.
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Fachgebiete
Vertreten von
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