Bond wafer regenerating method, bond wafer, and ssoi wafer manufacturing method

WO2007007537 Art A1 18. Januar 2007

Anmelder: SHIN-ETSU HANDOTAI COMPANY LIMITED 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2007007537
Aktenzeichen: EP06767317
Anmeldetag: 26. Juni 2006
Veröffentlichung: 18. Januar 2007
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/02H01L21/762H01L27/12

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: SHIN-ETSU HANDOTAI COMPANY LIMITED
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Shin-Etsu Handotai

Japanisches Unternehmen der Shin-Etsu-Gruppe, das Siliziumwafer für die Halbleiterindustrie herstellt.

1.022 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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