Field effect transistor and method for manufacturing same

WO2007007589 Art A1 18. Januar 2007

Anmelder: NEC Corporation 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2007007589
Aktenzeichen: EP06767827
Anmeldetag: 4. Juli 2006
Veröffentlichung: 18. Januar 2007
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/338H01L29/06H01L29/778H01L29/812

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: NEC Corporation
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 NEC

Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Tokio, der IT- und Netzwerklösungen, Telekommunikationsausrüstung sowie Sicherheits- und Biometrietechnik anbietet.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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