Semiconductor structure for transistors with enhanced subthreshold swing and methods of manufacture thereof

WO2007008173 Art A1 18. Januar 2007

Anmelder: NATIONAL UNIVERSITY OF SINGAPORE 🇸🇬

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2007008173
Aktenzeichen: EP06733536
Anmeldetag: 11. April 2006
Veröffentlichung: 18. Januar 2007
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/06H01L21/8232H01L27/085

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: NATIONAL UNIVERSITY OF SINGAPORE
Land: 🇸🇬 Singapur

🇸🇬 National University of Singapore

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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