Nitric oxide reoxidation for improved gate leakage reduction of sion gate dielectrics

WO2007008302 Art A1 18. Januar 2007

Anmelder: Applied Materials, Inc., Chua, Thai Cheng, Olsen, Christopher S., Kraus, Philip A., Ahmed, Khaled Z., Czarnik, Cory, APPLIED MATERIALS, INC. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2007008302
Aktenzeichen: EP06771576
Anmeldetag: 26. Mai 2006
Veröffentlichung: 18. Januar 2007
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/28H01L29/51

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: Applied Materials, Inc.
Chua, Thai Cheng
Olsen, Christopher S.
Kraus, Philip A.
Ahmed, Khaled Z.
Czarnik, Cory
APPLIED MATERIALS, INC.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Applied Materials

US-amerikanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Santa Clara, Kalifornien. Applied Materials entwickelt Fertigungsanlagen und Prozesstechnologien für die Halbleiter-, Display- und Solarindustrie, unter anderem für Beschichtung, Ätzen und Materialabscheidung.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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