Apparatus and method for programming an array of nonvolatile memory cells including switchable resistor memory elements
WO2007008701
Art A2
18. Januar 2007
Anmelder: SanDisk 3D LLC 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2007008701
- Aktenzeichen
- EP06786663
- Anmeldetag
- 10. Juli 2006
- Veröffentlichung
- 18. Januar 2007
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- G11C11/00
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- SanDisk 3D LLC
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
SanDisk 3D
SanDisk 3D war eine auf dreidimensionale Speichertechnologien spezialisierte Tochtergesellschaft von SanDisk, heute Teil von Western Digital. Das Patentportfolio konzentriert sich sehr stark auf Halbleiterbauelemente sowie Akustik- und Datenspeichertechnik. Die Anmeldungen aus 2001 bis 2014 betreffen unter anderem vertikale Feldeffekttransistoren und 1T-1R-Speicherzellen.
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