Lateral growth method for defect reduction of semipolar nitride films

WO2007009035 Art A2 18. Januar 2007

Anmelder: The Regents of the University of California, Japan Science and Technology Agency 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2007009035
Aktenzeichen: EP06787135
Anmeldetag: 13. Juli 2006
Veröffentlichung: 18. Januar 2007
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/20

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: The Regents of the University of California
Japan Science and Technology Agency
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 University of California

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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