Boosting Technique For A Bi-Directional Switch in A Power Converter

WO2007010489 Art A2 25. Januar 2007

Anmelder: NXP B.V. 🇳🇱

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2007010489
Aktenzeichen: EP06780132
Anmeldetag: 19. Juli 2006
Veröffentlichung: 25. Januar 2007
Rechtsraum: WO
IPC: H02M3/335

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: NXP B.V.
Land: 🇳🇱 Niederlande

🇳🇱 NXP Semiconductors

Niederländischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Eindhoven. Entwickelt Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation, Sicherheit sowie industrielle Anwendungen.

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Fachgebiete

Elektrische Energietechnik

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