Polycrystal silicon substrate, fabrication method thereof, photoelectric conversion element, and photoelectric conversion module
WO2007010622
Art A1
25. Januar 2007
Anmelder: KYOCERA CORPORATION 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2007010622
- Aktenzeichen
- EP05766145
- Anmeldetag
- 22. Juli 2005
- Veröffentlichung
- 25. Januar 2007
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- C01B33/02H01L31/04
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- KYOCERA CORPORATION
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Kyocera
Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Kyoto. Kyocera fertigt Keramikbauteile, Halbleiterkomponenten, Solarmodule, Druck- und Kopiersysteme sowie Elektronikprodukte für Industrie und Endverbraucher.
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